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PBSS5130QA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PBSS5130QA |
| 參數(shù)屬性 | PBSS5130QA 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3 |
| 功能描述 | 30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封裝外殼 | 3-XDFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
244.71 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
17 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-6 17:04:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PBSS5130QAZ
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
240mV @ 100mA，1A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
130 @ 1A，2V
- 頻率 - 躍遷：
170MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-XDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
DFN1010D-3
- 描述：
TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
1742+ |
SOT23 |
98215 |
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NXP |
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