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PBRN123ET

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=2.2k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123ET

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=2.2kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN123ET

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN123ET-Q

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN123Y

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123Y

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN123Y_SER

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN123YK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123YK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN123YS

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PBRN123ES AMO

  • 功能描述：

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP USA Inc.
24+
TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA)
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
Nexperia/安世
22+
SOT23
210000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
NEXPERIA/安世
2021+
SOT23
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價
NEXPERIA
21+
SOT-23
6000
原裝正品
 詢價
NEXPERIA/安世
23+
SOT23
6000
原裝正品假一罰百!可開增票!
 詢價
NEXPERIA/安世
2022+
3000
6600
只做原裝,假一罰十,長期供貨。
 詢價
NEXPERIA/安世
22+
SOT-23
50000
原裝正品.假一罰十
 詢價
NXP
1523+
SOT23-3
1000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
NEXPERIA/安世
22+
SOT-23
10990
原裝正品
 詢價
NEXPERIA/安世
24+
SOT-23
210000
全新原裝現(xiàn)貨庫存
 詢價
更多PBRN123ES AMO供應(yīng)商 更新時間2025-2-8 14:31:00

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