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PBRN123ET	文件：159.85 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=2.2k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PBRN123ET	文件：740.04 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=2.2kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBRN123ET	文件：268.64 Kbytes Page：12 Pages	40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBRN123ET-Q	文件：270.15 Kbytes Page：13 Pages	40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBRN123Y	文件：162.21 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PBRN123Y	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBRN123Y_SER	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBRN123YK	文件：162.21 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PBRN123YK	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBRN123YS	文件：162.21 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PBRN123YS	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBRN123YT	文件：162.21 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PBRN123YT	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBRN123YT	文件：271.83 Kbytes Page：12 Pages	40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBRN123YT-Q	文件：273.29 Kbytes Page：13 Pages	40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBRP123ET	文件：112.65 Kbytes Page：12 Pages	PNP800mA,40VBISSRET;R1=2.2kW,R2=2.2kW	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PBRP123ET	文件：267.54 Kbytes Page：12 Pages	40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBRP123ET-Q	文件：269.09 Kbytes Page：13 Pages	40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PBRP123YT	文件：121.89 Kbytes Page：12 Pages	PNP800mA,40VBISSRET;R1=2.2kW,R2=10kW	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PBRP123YT	文件：269.66 Kbytes Page：12 Pages	40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123YT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
PBRN123ES AMO
功能描述：
開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶體管極性：
NPN/PNP
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作頻率：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V
集電極連續(xù)電流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	PBRN123ES126	NXP USA Inc.	24+	TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA)	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	PBRN123ET	Nexperia/安世	22+	SOT23	210000	原廠原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	PBRN123ET	NEXPERIA/安世	2021+	SOT23	100500	一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢價(jià)
深圳市珩瑞科技有限公司	PBRN123ET	NEXPERIA	21+	SOT-23	6000	原裝正品	詢價(jià)
深圳市能創(chuàng)芯電子科技有限公司	PBRN123ET	NEXPERIA/安世	23+	SOT23	6000	原裝正品假一罰百!可開(kāi)增票!	詢價(jià)
深圳市湘達(dá)電子科技有限公司	PBRN123ET	NEXPERIA/安世	2022+	3000	6600	只做原裝,假一罰十,長(zhǎng)期供貨。	詢價(jià)
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司	PBRN123ET	NEXPERIA/安世	2122+	SOT-23	10990	全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠十	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	PBRN123ET	NEXPERIA/安世	22+	SOT-23	50000	原裝正品.假一罰十	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	PBRN123ET	NXP	1523+	SOT23-3	1000	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市瑞卓芯科技有限公司	PBRN123ET	NEXPERIA/安世	22+	SOT-23	10990	原裝正品	詢價(jià)

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