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NXH450B100H4Q2F2PG | Marking：NXH450B100H4Q2F2PG；Package：Q2BOOST；Q2BOOST Module Description TheNXH450B100H4Q2isaSi/SiCHybridthreechannel symmetricboostmodule.Eachchannelcontainstwo1000V,150A IGBTs,two1200V,30ASiCdiodesandtwo1600V,30Abypass diodes.ThemodulecontainsanNTCthermistor. Features ?Silicon/SiCHybridTechnologyMaximizesP | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
NXH450B100H4Q2F2PG | Marking：NXH450B100H4Q2F2PG；Package：Q2BOOST-Case180BG；Q2BOOST Module | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
Marking：NXH450B100H4Q2F2PG-R；Package：Q2BOOST；Q2BOOST Module Description TheNXH450B100H4Q2isaSi/SiCHybridthreechannel symmetricboostmodule.Eachchannelcontainstwo1000V,150A IGBTs,two1200V,30ASiCdiodesandtwo1600V,30Abypass diodes.ThemodulecontainsanNTCthermistor. Features ?Silicon/SiCHybridTechnologyMaximizesP | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
NXH450B100H4Q2F2PG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
管件
- 配置：
2 個(gè)獨(dú)立式
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.25V @ 15V，150A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
56-PIM（93x47）
- 描述：
1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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