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NVMTS0D6N04CLTXG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

NVMTS0D6N04CLTXG
廠商型號

NVMTS0D6N04CLTXG

參數(shù)屬性

NVMTS0D6N04CLTXG 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI

功能描述

MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 0.42 m, 554.5 A
T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI

絲印標(biāo)識

0D6N04CL

封裝外殼

POWER88

文件大小

407.77 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-25 23:00:00

NVMTS0D6N04CLTXG規(guī)格書詳情

NVMTS0D6N04CLTXG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVMTS0D6N04CLTXG晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

? Wettable Flank Plated for Enhanced Optical Inspection

? AEC?101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NVMTS0D6N04CLTXG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    78.9A(Ta),554.5A(Tc)

  • 描述:

    T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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