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NVMTS0D6N04CL分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

NVMTS0D6N04CL
廠商型號

NVMTS0D6N04CL
參數(shù)屬性

NVMTS0D6N04CL 包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
功能描述

MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 0.42 m, 554.5 A
T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
文件大小

407.77 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-25 23:00:00

NVMTS0D6N04CL規(guī)格書詳情

NVMTS0D6N04CL屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NVMTS0D6N04CL晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時又能承載大電流，使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

? Wettable Flank Plated for Enhanced Optical Inspection

? AEC?101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NVMTS0D6N04CLTXG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    78.9A（Ta），554.5A（Tc）

  • 描述：

    T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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