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NVLJWS011N04CLT1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NVLJWS011N04CLT1G
廠商型號(hào)

NVLJWS011N04CLT1G

功能描述

MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 11 m, 37 A

絲印標(biāo)識(shí)

011N

封裝外殼

WDFNW6

文件大小

170.89 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-16 23:00:00

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NVLJWS011N04CLT1G規(guī)格書詳情

Features

? Small Footprint for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

? Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
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DFN6(2x2)
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