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NVBG020N090SC1_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 900 V, M2, D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V ?Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=200nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=295pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSComplia

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTBG020N090SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,20mohm,900V,M2,D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V ?Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=200nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=295pF) ?100AvalancheTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlev

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NTHL020N090SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,20mohm,900V,M2,TO-247-3L

Features ?Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V ?Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=196nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=296pF) ?100UILTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelint

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NVHL020N090SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–20mohm,900V,M2,TO-247-3L

Features ?Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V ?Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=196nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=296pF) ?100UILTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwit

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供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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21+
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3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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800
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23+
D2PAK7 (TO-263-7L HV)
100000
全新原裝
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23+
D2PAK-7L
1356
原廠正品現(xiàn)貨SiC MOSFET全系列
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onsemi(安森美)
23+
D2PAK7L
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現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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更多NVBG020N090SC1_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-13 14:15:00

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