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NV25010MUW3VTBG 集成電路(IC)存儲器 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
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原廠料號:NV25010MUW3VTBG品牌:onsemi
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
NV25010MUW3VTBG是集成電路(IC) > 存儲器。制造商onsemi生產(chǎn)封裝8-UFDFN/8-UFDFN 裸露焊盤的NV25010MUW3VTBG存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
NV25010MUW3VTBG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
EEPROM
- 技術(shù):
EEPROM
- 存儲容量:
1Kb(128 x 8)
- 存儲器接口:
SPI
- 寫周期時間 - 字,頁:
5ms
- 電壓 - 供電:
1.8V ~ 5.5V
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-UFDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-UDFN(2x3)
- 描述:
IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8UDFN
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市諾美思科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
Eva
- 手機:
13828790990
- 詢價:
- 電話:
0755-82811187
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道深紡大廈B座1503
相近型號
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