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NTMD6N04R2G

MOSFET – Power, Dual N-Channel, SOIC-8 40 V, 5.8 A

Features ?Designedforuseinlowvoltage,highspeedswitchingapplications ?UltraLowOn?ResistanceProvides HigherEfficiencyandExtendsBatteryLife ?RDS(on)=0.027,VGS=10V(Typ) ?RDS(on)=0.034,VGS=4.5V(Typ) ?MiniatureSOIC?8SurfaceMountPackageSavesBoardSpac

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTMD6N04R2G

Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTMD6N04R2G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTMD6N04R2G

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

NTMD6N04R2

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTMD6N04R2

PowerMOSFET40V,5.8A,DualN-ChannelSOIC-8

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVMD6N04R2G

MOSFET–Power,DualN-Channel,SOIC-840V,5.8A

Features ?Designedforuseinlowvoltage,highspeedswitchingapplications ?UltraLowOn?ResistanceProvides HigherEfficiencyandExtendsBatteryLife ?RDS(on)=0.027,VGS=10V(Typ) ?RDS(on)=0.034,VGS=4.5V(Typ) ?MiniatureSOIC?8SurfaceMountPackageSavesBoardSpac

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVMD6N04R2G

PowerMOSFET

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    NTMD6N04R2G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NTMD6N04R2G供應(yīng)商 更新時間2025-4-1 13:44:00