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NTMD6N04R2G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTMD6N04R2G
廠商型號

NTMD6N04R2G

功能描述

MOSFET – Power, Dual N-Channel, SOIC-8 40 V, 5.8 A

文件大小

219.31 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-16 20:00:00

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NTMD6N04R2G規(guī)格書詳情

Features

? Designed for use in low voltage, high speed switching applications

? Ultra Low On?Resistance Provides

Higher Efficiency and Extends Battery Life

? RDS(on) = 0.027 , VGS = 10 V (Typ)

? RDS(on) = 0.034 , VGS = 4.5 V (Typ)

? Miniature SOIC?8 Surface Mount Package Saves Board Space

? Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

? Diode Exhibits High Speed, with Soft Recovery

? NVMD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable*

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Applications

? DC?DC Converters

? Computers

? Printers

? Cellular and Cordless Phones

? Disk Drives and Tape Drives

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTMD6N04R2G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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