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NTE65101

Integrated Circuit 256 x 4-Bit Static Random Access Memory (SRAM)

Description: TheNTE65101isaCMOS1024–bitdeviceorganizedin256wordsby4bitsina22–LeadDIPtypepackage.Thisdeviceoffersultralowpowerandfullystaticoperationwithasingle5Vsupply.Separatedatainputsanddataoutputspermitmaximumflexibilityinbus–orientedsystems.Data

NTE

NTE Electronics

AP65101

TSOT26LIGHTLOADIMPROVED1.5ASYNCHDC/DCBUCKCONVERTER

DIODES

Diodes Incorporated

EM65101

128COM/160SEG16GrayScaleLevelLCDDriver

EMCELAN Microelectronics Corp

義隆電子義隆電子股份有限公司

EM65101AF

128COM/160SEG16GrayScaleLevelLCDDriver

EMCELAN Microelectronics Corp

義隆電子義隆電子股份有限公司

EM65101AGH

128COM/160SEG16GrayScaleLevelLCDDriver

EMCELAN Microelectronics Corp

義隆電子義隆電子股份有限公司

EM65101AH

128COM/160SEG16GrayScaleLevelLCDDriver

EMCELAN Microelectronics Corp

義隆電子義隆電子股份有限公司

EM65101AT

128COM/160SEG16GrayScaleLevelLCDDriver

EMCELAN Microelectronics Corp

義隆電子義隆電子股份有限公司

MA65101BAN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MA65101BBN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MA65101CAN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MA65101CBN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MA65101DAN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MA65101DBN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MA65101FAN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MA65101FBN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MA65101GAN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MA65101GBN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MA65101JAN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

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MA65101JBN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

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MA65101KAN

HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    NTE65101

  • 制造商:

    NTE Electronics

  • 功能描述:

    IC - NMOS 1K SRAM 450NS 22 LEAD DIP

  • 功能描述:

    IC-CMOS 1K SRAM

  • 功能描述:

    IC, SRAM, 1KBIT, SERIAL, 450NS, 22-DIP; Memory

  • Size:

    1Kbit; Memory

  • Configuration:

    256 x 4; Supply Voltage

  • Min:

    4.75V; Supply Voltage

  • Max:

    5.25V; Memory Case

  • Style:

    DIP; No. of

  • Pins:

    22; Access

  • Time:

    450ns; Operating Temperature

  • Min:

    -40C

  • 功能描述:

    SRAM Chip Async Single 5V 1K-Bit 256 x 4-Bit 450ns 22-Pin PDIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
5
全新原裝 貨期兩周
詢價
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
詢價
24+
N/A
64000
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇
詢價
NTE
23+
39612
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
NTE
22+
NA
500000
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂
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NTE
2048+
SMD
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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NTE
23+
NA/
87
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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NTE
23+
SMD
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
NTE
2022
SMD
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
詢價
VB
21+
SC-89
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多NTE65101供應(yīng)商 更新時間2024-10-22 16:06:00