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NTD32N06G

32 Amps, 60 Volts, N??hannel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTD32N06L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=28mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NTD32N06L

PowerMOSFET32Amps,60Volts,LogicLevel(N-ChannelDPAK)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTD32N06L

PowerMOSFET32Amps,60Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTD32N06L

PowerMOSFET32Amps,60Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTD32N06LG

PowerMOSFET32Amps,60Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

PHB32N06LT

N-channelTrenchMOSlogiclevelFET

1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Suit

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PHB32N06LT

N-channelTrenchMOSlogiclevelFET

Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Suitablefor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PHB32N06LT

N-channelenhancementmodefieldeffecttransistor

Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Features ■TrenchMOS?technology ■Logiclevelcompatible. Applications ■Generalpurposeswitching ■Switchedmodepowersupplies.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHB32N06LT

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=37mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    NTD32N06G

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 32A N-Channel

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
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DPAK
20000
只做原廠渠道 可追溯貨源
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ON/安森美
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免費送樣原盒原包現貨一手渠道聯系
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TO-252
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更多NTD32N06G供應商 更新時間2025-3-22 16:36:00

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