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NTD4805N-1G

MOSFET – Power, Single, N-Channel, DPAK/IPAK 30 V, 88 A

Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses ?NVDPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 QualifiedandPPAPCapable

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD4805N-1G

Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N??hannel, DPAK/IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD4805N-1G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD4805N-1G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

NTD4805N-1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=95A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    NTD4805N-1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET 30V 88A 5MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ON/安森美
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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ON/安森美
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更多NTD4805N-1G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 16:36:00