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NTD18N06L-1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NTD18N06L-1G
廠商型號(hào)

NTD18N06L-1G
功能描述

Power MOSFET
文件大小

79.98 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-18 22:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    NTD18N06L-1G

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 18A N-Channel

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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