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NTD18N06L中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTD18N06L
廠商型號

NTD18N06L

功能描述

Power MOSFET 18 A, 60 V, Logic Level N.Channel DPAK

文件大小

169.03 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-10-25 22:59:00

NTD18N06L規(guī)格書詳情

MOSFET – Power, N-Channel, Logic Level, DPAK 18 A, 60 V

Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.

Features

? AEC Q101 Qualified ? NTDV18N06L

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

? Power Supplies

? Converters

? Power Motor Controls

? Bridge Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTD18N06L

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 18A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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