首頁>NTD12N10T4G>芯片詳情

NTD12N10T4G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 100V 12A N-Channel高捷芯城一部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    NTD12N10T4G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON(安森美)

  • 庫存數(shù)量：

    7098

  • 產(chǎn)品封裝：

    標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-1 9:38:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NTD12N10T4G品牌：ON(安森美)

全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障

  • 芯片型號：

    NTD12N10T4G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    77.77 kb

  • 資料說明：

    Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N??hannel Enhancement??ode DPAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NTD12N10T4G

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 12A N-Channel

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生

  • 手機(jī)：

    19076157484

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83061789

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號航都大廈10層

相近型號