訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>NSVF4017SG4T1G>芯片詳情
NSVF4017SG4T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
原廠料號:NSVF4017SG4T1G品牌:onsemi
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
NSVF4017SG4T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商onsemi生產(chǎn)封裝4-SMD,扁平引線/4-SMD,扁平引線的NSVF4017SG4T1G晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
NSVF4017SG4T1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
12V
- 頻率 - 躍遷:
10GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1.2dB @ 1GHz
- 增益:
17dB
- 功率 - 最大值:
450mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 50mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
4-SMD,扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
SC-82FL/MCPH4
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
供應(yīng)商
- 企業(yè):
中天科工半導(dǎo)體(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機:
13128990370
- 詢價:
- 電話:
13128990370/微信同號
- 傳真:
原裝正品
- 地址:
深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B
相近型號
- NSVEMT1DXV6T5G
- NSVF6003SB6T1G
- NSVEMT1DXV6T1G
- NSVIMD10AMT1G
- NSVEMD4DXV6T5G
- NSVJ2394SA3T1G
- NSVEMC2DXV5T1G
- NSVJ3557SA3T1G
- NSVDTC144WET1G
- NSVJ3910SB3T1G
- NSVDTC144TM3T5G
- NSVJ5908DSG5T1G
- NSVDTC144EM3T5G
- NSVJ6904DSB6T1G
- NSVDTC143ZM3T5G
- NSVM1MA141WAT1G
- NSVDTC143ZET1G
- NSVM1MA152WAT1G
- NSVDTC123JM3T5G
- NSVM1MA152WKT1G
- NSVDTC123JET1G
- NSVMBD54DWT1G
- NSVDTC123EM3T5G
- NSVMBT3904DW1T3G
- NSVDTC114YM3T5G
- NSVMMBD352WT1G
- NSVDTC113EM3T5G
- NSVMMBD353LT1G
- NSVDTA144WET1G
- NSVMMBD354LT1G
- NSVDTA144EET1G
- NSVMMBD717LT1G
- NSVDTA143ZET1G
- NSVMMBT2222AM3T5G
- NSVDTA143EM3T5G
- NSVMMBT2222ATT1G
- NSVDTA123JM3T5G
- NSVMMBT2907AM3T5G
- NSVDTA123EM3T5G
- NSVMMBT2907AWT1G
- NSVDTA115EET1G
- NSVMMBT3906TT1G
- NSVDTA114YM3T5G
- NSVMMBT4401WT1G
- NSVDTA114EM3T5G
- NSVMMBT5087LT1G
- NSVDTA114EET1G
- NSVMMBT5087LT3G
- NSVDTA113EM3T5G
- NSVMMBT5088LT3G