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NSBA113EF3T5G 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 ONSEMI/安森美半導體

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  • 廠家型號：

    NSBA113EF3T5G

  • 產品分類：

    芯片

  • 生產廠商：

    onsemi

  • 庫存數(shù)量：

    9350

  • 產品封裝：

    SOT-1123

  • 生產批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-17 14:08:00

  • 詳細信息
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原廠料號：NSBA113EF3T5G品牌：onsemi

獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證

NSBA113EF3T5G是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置。制造商onsemi生產封裝SOT-1123的NSBA113EF3T5G晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置預偏置雙極晶體管具有內部電阻器，設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項目成本。

  • 芯片型號：

    NSBA113EF3T5G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大?。?/span>

    177.03 kb

  • 資料說明：

    Digital Transistors (BRT)

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    NSBA113EF3T5G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    3 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 5mA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-1123

  • 供應商器件封裝：

    SOT-1123

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機：

    13530520535

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

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