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NP82N04MDG-S18-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP82N04MDG-S18-AY
廠商型號

NP82N04MDG-S18-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

326.96 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-30 11:16:00

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NP82N04MDG-S18-AY規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NP82N04MDG and NP82N04NDG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

? Logic level

? Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 4.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

RDS(on)2 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 41 A)

? High current rating

ID(DC) = ±82 A

? Low input capacitance

Ciss = 6000 pF TYP.

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NP82N04MDG-S18-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH TO-220

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
24+
TO-220
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單!
詢價
RENESAS/瑞薩
23+
33000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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24+
N/A
51000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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TECCOR
23+
TO-220
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
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RENESAS/瑞薩
22+
TO-220
12500
瑞薩全系列在售,終端可出樣品
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RENESAS/瑞薩
23+
TO-220
89630
當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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NEC
24+
TO-220
43200
鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨
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25+
TOTO-220
37650
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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21+
TO220
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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NEC
TO-220
22+
6000
十年配單,只做原裝
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