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NP80N06PLG-E1B-AY
廠商型號

NP80N06PLG-E1B-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

355.07 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-13 16:44:00

NP80N06PLG-E1B-AY規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NP80N06MLG, NP80N06NLG, and NP80N06PLG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

? Logic level

? Built-in gate protection diode

? Super low on-state resistance

- NP80N06MLG, NP80N06NLG

RDS(on)1 = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 13.3 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)

- NP80N06PLG

RDS(on)1 = 8.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 13 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)

? High current rating

ID(DC) = ±80 A

? Low input capacitance

Ciss = 4600 pF TYP.

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

產品屬性

  • 型號:

    NP80N06PLG-E1B-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
6000
面議
19
TO-263
詢價
NEC
SOT-263
68900
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
詢價
NPC
2023+
SSOP
3750
全新原廠原裝產品、公司現(xiàn)貨銷售
詢價
NATLINEAR/南麟
23+
TO-220-3L
33000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
NATLINEAR/南麟
24+
TO-220-3L
156000
專營NATLINEAR南麟原裝正品保障
詢價
NEC
24+
TO-263
8866
詢價
NEOPOWER
2021+
SOP8
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
詢價
NEC
22+
TO-263
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
Renesas Electronics America
2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
NEC
22+
SOT-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
詢價