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NP60N04VUK-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP60N04VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationa

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP60N04VUK-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP60N04VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplication

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瑞薩瑞薩科技有限公司

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Renesas
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Renesas Electronics America
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RENESAS/瑞薩
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更多NP60N04VUK-E1-AY供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 16:12:00

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