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NP60N06VDK	文件：442.27 Kbytes Page：9 Pages	60 V – 60 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Description NP60N06VDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NTB60N06	文件：345 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTB60N06	文件：216.05 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET–Power,N-Channel,D2PAK60V,60A Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsin powersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridge circuits. Features ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable?NVB60N06 ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications ?PowerSupplies ?C	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB60N06	文件：85.67 Kbytes Page：10 Pages	60V,60A,N-ChannelTO-220andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB60N06G	文件：1.77288 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NTB60N06G	文件：85.67 Kbytes Page：10 Pages	60V,60A,N-ChannelTO-220andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB60N06L	文件：345.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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NTB60N06LG	文件：94.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET60Amps,60Volts,LogicLevelN??hannelTO??20andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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