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NP35N04YUG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP35N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=10mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) ?LowCiss:Ciss=1900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Designedforautomotiveappli

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NP35N04YUG-E1-AY

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS
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DFN56
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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更多NP35N04YUG-E1-AY供應商 更新時間2024-12-27 23:00:00

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