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NP180N055TUJ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP180N055TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) ?LowCiss:Ciss=9500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP180N055TUJ

Product Scout Automotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP180N055TUJ-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP180N055TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) ?LowCiss:Ciss=9500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

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瑞薩瑞薩科技有限公司

NP180N055TUJ-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP180N055TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) ?LowCiss:Ciss=9500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

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瑞薩瑞薩科技有限公司

NP180N055TUJ_15

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP180N055TUJ-E2-AY

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IXTA180N055T

TrenchGatePowerMOSFET

TrenchGatePowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

IXTP180N055T

TrenchGatePowerMOSFET

TrenchGatePowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ180N055T

TrenchGatePowerMOSFET

TrenchGatePowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

NP180N055TUK

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP180N055TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.40m?MAX.(VGS=10V,ID=90A) ?LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplication

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    NP180N055TUJ

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7

  • RoHS：

    是

  • 類(lèi)別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RENESAS
MP-25ZT7p
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
 詢(xún)價(jià)
NEXPERIA/安世
23+
SOT404
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢(xún)價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
MP-25ZT7pinTO-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢(xún)價(jià)
RENESAS/瑞薩
2022+
TO-263
50000
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
 詢(xún)價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
MP-25ZT7pinTO-263
32687
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢(xún)價(jià)
NEC
23+
TO-263
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
MP-25ZT7pinTO-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢(xún)價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
TO-263
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
RENESAS/瑞薩
2022+
TO-263
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢(xún)價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
TO-263-7p
12500
瑞薩全系列在售,終端可出樣品
 詢(xún)價(jià)
更多NP180N055TUJ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-27 14:00:00

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