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NP160N04TUJ-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP160N04TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=2.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=80A) ?LowCiss:Ciss=6900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Designedforautomotiveappli

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP160N04TUJ-E2-AY

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個 描述:TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NP160N04TUJ-E2-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    160A(Tc)

  • 描述:

    TRANSISTOR

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更多NP160N04TUJ-E2-AY供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 8:24:00