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NGTB20N120IHRWG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NGTB20N120IHRWG |
| 參數(shù)屬性 | NGTB20N120IHRWG 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT TRENCH/FS 1200V 40A TO247 |
| 功能描述 | IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode |
| 文件大小 |
182.67 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-28 14:45:00 |
NGTB20N120IHRWG規(guī)格書詳情
NGTB20N120IHRWG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB20N120IHRWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NGTB20N120IHRWG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.45V @ 15V，20A
- 開關(guān)能量：
450μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
-/235ns
- 測試條件：
600V，20A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247
- 描述：
IGBT TRENCH/FS 1200V 40A TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
17+ |
TO247 |
958 |
原裝現(xiàn)貨 價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
NA |
275000 |
一級代理原裝正品,價(jià)格優(yōu)勢,長期供應(yīng)! |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
20000 |
原裝正品 歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
10+ |
TO-247 |
112 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ON |
2023+ |
TO-247 |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價(jià) | ||
ON |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||||
ON |
TO-247 |
893993 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
9800 |
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
22+ |
TO247 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) |
