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NGTB15N60S1EG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NGTB15N60S1EG |
| 參數(shù)屬性 | NGTB15N60S1EG 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 30A 117W TO220-3 |
| 功能描述 | IGBT - Short-Circuit Rated |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
140.5 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-6 22:59:00 |
| 人工找貨 | NGTB15N60S1EG價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NGTB15N60S1EG規(guī)格書詳情
NGTB15N60S1EG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB15N60S1EG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NGTB15N60S1EG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，15A
- 開關(guān)能量：
550μJ（開），350μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
65ns/170ns
- 測試條件：
400V，15A，22 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
9348 |
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div> |
詢價 | ||
ON |
2016+ |
TO220-3 |
8880 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220 |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
TO220 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220-3 |
6000 |
原裝正品，支持實單 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 | ||
ON |
24+ |
TO-220 |
5000 |
十年沉淀唯有原裝 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
8080 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ON/安森美 |
2023 |
5500 |
公司原裝現(xiàn)貨/支持實單 |
詢價 | |||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220 |
8080 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 |
