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首頁(yè)>NGTB15N120IHRWG>芯片詳情
NGTB15N120IHRWG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):NGTB15N120IHRWG品牌:ON
TO-3P
NGTB15N120IHRWG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝原裝正品現(xiàn)貨/TO-247-3的NGTB15N120IHRWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NGTB15N120IHRWG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,15A
- 開(kāi)關(guān)能量:
340μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
-/170ns
- 測(cè)試條件:
600V,15A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏興瑞科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱小姐
- 手機(jī):
18923720076
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-23946805
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)205棟3樓A05
相近型號(hào)
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- NGTB15N60C3
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- NGS-2
- NGTB20N120LWG20N120L
- NGS-1
- NGTB20N135IHR
- NGRV3030UW2R442G1TRF
- NGRM5010UW2R442G1TRF
- NGTB20N135IHRWG
- NGRM2050US0R433G3TRF
- NGR3
- NGR25881BNAAN
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