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NGD8201NT4G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NGD8201NT4G |
| 參數(shù)屬性 | NGD8201NT4G 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
125.66 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-23 9:44:00 |
| 人工找貨 | NGD8201NT4G價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NGD8201NT4G規(guī)格書詳情
NGD8201NT4G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGD8201NT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NGD8201NT4G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
- 輸入類型：
邏輯
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
-/5μs
- 測試條件：
300V，9A，1 千歐，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
- 描述：
IGBT 440V 20A 125W DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2024 |
TO-252 |
505348 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
TO252 |
20000 |
全新原廠原裝，進口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅?。?/div> |
詢價 | ||
ON |
24+ |
TO-252 |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
PTIF |
1501160001 |
35 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價 | |||
ON/安森美 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價 | ||
ON/LITTELFUSE |
22+ |
TO-252 |
25800 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
ON |
TO252 |
19776 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
ON/安森美 |
23+ |
TO-252 |
27750 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
ON |
2020+ |
SOT-252 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 |
