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NGD8201NT4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NGD8201NT4 |
| 參數(shù)屬性 | NGD8201NT4 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
110.72 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-16 15:24:00 |
| 人工找貨 | NGD8201NT4價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NGD8201NT4規(guī)格書詳情
NGD8201NT4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGD8201NT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NGD8201NT4
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
- 輸入類型：
邏輯
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
-/5μs
- 測(cè)試條件：
300V，9A，1 千歐，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
- 描述：
IGBT 440V 20A 125W DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO252 |
10526 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
ON |
2020+ |
SOT-252 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-252 |
18000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-252 |
24190 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
ON |
18+ |
TO-252 |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
ON |
1725+ |
? |
7500 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
ON/安森美 |
2447 |
SOT-252 |
100500 |
一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) |
