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NGB8207ANT4G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NGB8207ANT4G
廠商型號(hào)

NGB8207ANT4G
參數(shù)屬性

NGB8207ANT4G 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
功能描述

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N??hannel D2PAK
IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
封裝外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

153.96 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-22 19:00:00
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NGB8207ANT4G規(guī)格書(shū)詳情

NGB8207ANT4G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGB8207ANT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGB8207ANT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 3.7V，10A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 365V 20A 165W D2PAK3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
24+
TO263
20000
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅?。?/div>
 詢價(jià)
ON
TO263
12833
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
 詢價(jià)
ON
TO263
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價(jià)
ON
22+
TO263
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
ON
24+
D2PAK3LEAD
8866
詢價(jià)
ON/LITTELFUSE
22+
TO-263
12500
原裝正品支持實(shí)單
 詢價(jià)
ON Semiconductor
23+
D2PAK
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ON Semiconductor
2022+
D2PAK
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
ON/安森美
22+
SOT-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價(jià)
ON Semiconductor
22+
D2PAK
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)

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