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NGB8207ABN中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NGB8207ABN
廠商型號

NGB8207ABN

參數(shù)屬性

NGB8207ABN 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 365V 20A D2PAK

功能描述

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

文件大小

125.9 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-11-16 22:59:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NGB8207ABNT4G

  • 制造商:

    Littelfuse Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 3.7V,10A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 365V 20A D2PAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
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