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NGB8207ABNT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 Littelfuse Inc.

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  • 廠家型號(hào)：

    NGB8207ABNT4G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Littelfuse Inc.

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    30000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-3 16:36:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NGB8207ABNT4G品牌：Littelfuse Inc.

晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品

NGB8207ABNT4G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Littelfuse Inc.生產(chǎn)封裝TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的NGB8207ABNT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    NGB8207ABNT4G

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    125.9 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGB8207ABNT4G

  • 制造商：

    Littelfuse Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 3.7V，10A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 365V 20A D2PAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號(hào)

  • 傳真：

    原裝正品

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B

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