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NESG4030M14-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NESG4030M14-A
廠商型號

NESG4030M14-A

功能描述

NPN SILICON GERMANIUM C RF TRANSISTOR

文件大小

327.84 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-3 17:42:00

NESG4030M14-A規(guī)格書詳情

NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR

LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG)

FEATURES

? The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 15 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz

? SiGe:C HBT technology (UHS4) adopted

? Improvement of ESD protection

? 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NESG4030M14-A

  • 功能描述:

    射頻硅鍺晶體管 Low Noise,

  • SiGe:

    C HBT 2V,6mA@5.8GHz

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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