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NESG340034-T1中文資料瑞薩數據手冊PDF規(guī)格書

NESG340034-T1
廠商型號

NESG340034-T1

功能描述

NPN Silicon Germanium RF Transistor

文件大小

214.07 Kbytes

頁面數量

11

生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-5 23:00:00

NESG340034-T1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NESG340034 is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.

FEATURES

? NF = 0.65 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 15 mA, f = 1 GHz

? Po (1 dB) = 24 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz

? OIP3 = 35.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz

? Maximum stable power gain: MSG =12.0 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz

? SiGe HBT technology (UHS3) : fT = 10 GHz

? This product is improvement of ESD

? 3-pin power minimold (34 PKG)

APPLICATIONS

? Suitable for up to 1 GHz applications.

e.g. LNA (Low Noise Amplifier) or booster amplifier for Digital-TV.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NHIA
23+
NA/
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RENESAS/瑞薩
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RENESAS
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SOT-343
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SOT-343
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