首頁>NE66219>詳情

NE66219 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 NEC/瑞薩

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NE66219

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NEC

  • 庫存數(shù)量：

    26520

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-423

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-8-1 9:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NE66219品牌：NEC

原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種

  • 芯片型號：

    NE66219

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大小：

    329.12 kb

  • 資料說明：

    NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ? HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NE66219-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    3.3V

  • 頻率 - 躍遷：

    21GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.2dB @ 2GHz

  • 增益：

    14dB

  • 功率 - 最大值：

    115mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 5mA，2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    35mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-523

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-523

  • 描述：

    RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    陳先生/周小姐

  • 手機(jī)：

    18923718265

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82721010

  • 傳真：

    0755-28225816

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1016號寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級代理商

相近型號