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NE651R479A-T1-A

MEDIUM POWER GaAs HJ-FET

DESCRIPTION NECsNE651R479AisaGaAsHJ-FETdesignedformediumpowermobilecommunications,FixedWirelessAccess,ISM,WLL,PCS,IMT-2000,andMMDStransmitterandsubscriberapplications.Itiscapableofdelivering0.5Wattsofoutputpower(CW)at3.5V,and1Wattofoutputpower(CW)at5

CEL

California Eastern Labs

NE651R479A-T1-A

Package：4-SMD，扁平引線；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 8V 1.9GHZ 79A

CEL

California Eastern Labs

NE651R479A-T1

N-CHANNELGaAsHJ-FET

0.4WL-BANDPOWERGaAsHJ-FET DESCRIPTION TheNE651R479Aisa0.4WGaAsHJ-FETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobile communicationandwirelessPCLANsystems.Itiscapableofdelivering0.4Wofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyandexcellent

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE651R479A-T1

0.4WL-BANDPOWERGaAsHJ-FET

DESCRIPTION TheNE651R479Aisa0.4WGaAsHJ-FETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobilecommunicationandwirelessPCLANsystems.Itiscapableofdelivering0.4Wofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyandexcellentdistortionandasadriveramplifi

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NE651R479A-T1-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    1.9GHz

  • 增益：

    12dB

  • 額定電流（安培）：

    1A

  • 功率 - 輸出：

    27dBm

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    79A

  • 描述：

    FET RF 8V 1.9GHZ 79A

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
RENESAS
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SMD
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RENESAS/瑞薩
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RENESAS/瑞薩
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RENESAS/瑞薩
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RENESAS/瑞薩
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CEL
2022+
79A
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多NE651R479A-T1-A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-9 15:22:00

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