NE651R479A-T1-A_分立半導體產品 晶體管-FETMOSFET-射頻-CEL

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原廠料號:NE651R479A-T1-A品牌:CEL

資料說明:FET RF 8V 1.9GHZ 79A

NE651R479A-T1-A是分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商CEL/California Eastern Labs生產封裝4-SMD,扁平引線的NE651R479A-T1-A晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號:

    ne651r479a-t1-a

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  • 企業(yè)簡稱:

    CEL詳情

  • 廠商全稱:

    California Eastern Labs

  • 資料說明:

    FET RF 8V 1.9GHZ 79A

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號:

    NE651R479A-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    1.9GHz

  • 增益:

    12dB

  • 額定電流(安培):

    1A

  • 功率 - 輸出:

    27dBm

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應商器件封裝:

    79A

  • 描述:

    FET RF 8V 1.9GHZ 79A

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