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NE650103M

N-CHANNEL GaAs MES FET

10WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650103Misa10WGaAsMESFETdesignedforpowertransmitterapplicationsformobilecommunication basestationsystems.Itiscapableofdelivering10Wofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyand lowdistortion. Reli

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NE650103M-A

N-CHANNEL GaAs MES FET

10WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650103Misa10WGaAsMESFETdesignedforpowertransmitterapplicationsformobilecommunication basestationsystems.Itiscapableofdelivering10Wofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyand lowdistortion. Reli

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NE6501077

10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

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NE6501077

GaAs MES FET

10WL,S-BANDPOWERGaAsFET N-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE6501077ispowerGaAsFETwhichprovides highgain,highefficiencyandhighoutputpowerinL,Sband. Toreducethermalresistance,thedevicehasaPHS (PlatedHeatSink)structure. FEATURES ?ClassAoperation ?H

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NE6501077_00

L/S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

DESCRIPTION TheNE6501077isamediumpowerGaAsMESFETdesignedforuptoa10Woutputstageorasadriverforhighpowerdevices.ThedevicehasnointernalmatchingandcanbeusedfromUHFfrequenciesupto3.0GHz.Thechipsusedinthisseriesoffersuperiorreliabilityandconsistentper

CEL

California Eastern Labs

NE650R279A

0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET

DESCRIPTION TheNE650R279Aisa0.2WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobilecommunicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering0.2wattofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiency,excellentdistortionandissuitablea

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NE650R279A

N-CHANNEL GaAs MES FET

0.2WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650R279Aisa0.2WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobile communicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering0.2wattofoutputpower(CW)withhigh lineargain,highefficiency

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NE650R279A-T1

0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET

DESCRIPTION TheNE650R279Aisa0.2WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobilecommunicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering0.2wattofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiency,excellentdistortionandissuitablea

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NE650R279A-T1

N-CHANNEL GaAs MES FET

0.2WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650R279Aisa0.2WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobile communicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering0.2wattofoutputpower(CW)withhigh lineargain,highefficiency

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NE650R479A

0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET

DESCRIPTION TheNE650R479Aisa0.4WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobilecommunicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering0.4wattofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiency,excellentdistortionandissuitablea

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替換型號

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NE6

  • 制造商：

    Essentra Components

  • 類別：

    電纜，電線 - 管理 > 電纜支撐與緊固件

  • 系列：

    Richco

  • 包裝：

    散裝

  • 類型：

    線夾，P 型

  • 開口尺寸：

    0.375"（9.53mm）

  • 安裝類型：

    緊固件

  • 材料：

    鋁

  • 顏色：

    黑色，銀色

  • 寬度：

    0.375"（9.53mm）

  • 面板孔尺寸：

    0.204"（5.18mm）

  • 材料厚度：

    0.031"（0.80mm）

  • 特性：

    保護(hù)涂層

  • 描述：

    CBL CLAMP P-TYPE FASTENER

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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