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NE650103M

N-CHANNEL GaAs MES FET

10WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650103Misa10WGaAsMESFETdesignedforpowertransmitterapplicationsformobilecommunication basestationsystems.Itiscapableofdelivering10Wofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyand lowdistortion. Reli

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE650103M

10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET

CEL

California Eastern Labs

NE650103M-A

N-CHANNEL GaAs MES FET

10WL,S-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE650103Misa10WGaAsMESFETdesignedforpowertransmitterapplicationsformobilecommunication basestationsystems.Itiscapableofdelivering10Wofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyand lowdistortion. Reli

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE650103M-A

10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET

CEL

California Eastern Labs

NE650103M-A

Package：SOT-445 變式；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 15V 2.3GHZ 3M

CEL

California Eastern Labs

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NE650103M

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 RO 551-NE650103M-A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
原廠正品
23+
十字架
5000
原裝正品,假一罰十
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NEC
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NEC
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3M
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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NEC
21+
3M
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
更多NE650103M供應(yīng)商 更新時間2025-3-22 15:36:00

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