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NE434S01-T1	文件：42.13 Kbytes Page：5 Pages	C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET DESCRIPTION TheNE434S01isaHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAlGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitableforTVROandothercommercialsystems. FEATURES ?VERYLOWNOISEFIGURE:	CEL California Eastern Labs	CEL
NE434S01-T1B	文件：77.49 Kbytes Page：12 Pages	C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET DESCRIPTION TheNE434S01isaHereroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitableforTVROandanothercommercialsystems. FEATURES ?SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGainNF=0.3	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NE434S01-T1B	文件：42.13 Kbytes Page：5 Pages	C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET DESCRIPTION TheNE434S01isaHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAlGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitableforTVROandothercommercialsystems. FEATURES ?VERYLOWNOISEFIGURE:	CEL California Eastern Labs	CEL
NE4558	文件：85.38 Kbytes Page：5 Pages	Dual general-purpose operational amplifier DESCRIPTION The4558isadualoperationalamplifierthatisinternallycompensated.Excellentchannelseparationallowstheuseofadualdeviceinasingleampapplication,providingthehighestpackagingdensity.TheNE/SA/SE4558isapin-for-pinreplacementfortheRC/RM/RV4558. FEATURE	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
NE4558D	文件：85.38 Kbytes Page：5 Pages	Dual general-purpose operational amplifier DESCRIPTION The4558isadualoperationalamplifierthatisinternallycompensated.Excellentchannelseparationallowstheuseofadualdeviceinasingleampapplication,providingthehighestpackagingdensity.TheNE/SA/SE4558isapin-for-pinreplacementfortheRC/RM/RV4558. FEATURE	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
NE4558N	文件：85.38 Kbytes Page：5 Pages	Dual general-purpose operational amplifier DESCRIPTION The4558isadualoperationalamplifierthatisinternallycompensated.Excellentchannelseparationallowstheuseofadualdeviceinasingleampapplication,providingthehighestpackagingdensity.TheNE/SA/SE4558isapin-for-pinreplacementfortheRC/RM/RV4558. FEATURE	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
NE46100	文件：137.62 Kbytes Page：10 Pages	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR DESCRIPTION NECsNE461seriesofNPNsiliconepitaxialbipolartransistorsisdesignedformediumpowerapplicationsrequiringhighdynamicrange.Thisdeviceexhibitsanoutstandingcombinationofhighgainandlowintermodulationdistortion,aswellaslownoisefigure.TheNE461seriesoffers	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NE46100	文件：284.75 Kbytes Page：11 Pages	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE461seriesofNPNsiliconepitaxialbipolartransistorsisdesignedformediumpowerapplicationsrequiringhighdynamicrange.Thisdeviceexhibitsanoutstandingcombinationofhighgainandlowintermodulationdistortion,aswellaslownoisefigure.TheNE461seriesofferse	CEL California Eastern Labs	CEL
NE46134	文件：137.62 Kbytes Page：10 Pages	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR DESCRIPTION NECsNE461seriesofNPNsiliconepitaxialbipolartransistorsisdesignedformediumpowerapplicationsrequiringhighdynamicrange.Thisdeviceexhibitsanoutstandingcombinationofhighgainandlowintermodulationdistortion,aswellaslownoisefigure.TheNE461seriesoffers	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NE46134	文件：284.75 Kbytes Page：11 Pages	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE461seriesofNPNsiliconepitaxialbipolartransistorsisdesignedformediumpowerapplicationsrequiringhighdynamicrange.Thisdeviceexhibitsanoutstandingcombinationofhighgainandlowintermodulationdistortion,aswellaslownoisefigure.TheNE461seriesofferse	CEL California Eastern Labs	CEL

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
NE4
制造商：
Essentra Components
類別：
電纜，電線 - 管理 > 電纜支撐與緊固件
系列：
Richco
包裝：
散裝
類型：
線夾，P 型
開口尺寸：
0.250"（6.35mm）
安裝類型：
緊固件
材料：
鋁
顏色：
黑色，銀色
寬度：
0.375"（9.53mm）
面板孔尺寸：
0.204"（5.18mm）
材料厚度：
0.031"（0.80mm）
特性：
保護(hù)涂層
描述：
CBL CLAMP P-TYPE FASTENER

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