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NE3520S03-T1C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NE3520S03-T1C
廠(chǎng)商型號(hào)

NE3520S03-T1C

參數(shù)屬性

NE3520S03-T1C 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線(xiàn);包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 4V 20GHZ S03

功能描述

N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain

封裝外殼

4-SMD,扁平引線(xiàn)

文件大小

216.59 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

RENESAS瑞薩

中文名稱(chēng)

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠(chǎng)下載

更新時(shí)間

2025-1-28 15:22:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE3520S03-T1C-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    HFET

  • 頻率:

    20GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 額定電流(安培):

    70mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.65dB

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線(xiàn)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    S03

  • 描述:

    FET RF 4V 20GHZ S03

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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