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NE3516S02-T1C-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
NE3516S02-T1C-A |
參數(shù)屬性 | NE3516S02-T1C-A 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
功能描述 | N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
封裝外殼 | 4-SMD,扁平引線 |
文件大小 |
333.21 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
CEL |
中文名稱(chēng) | California Eastern Labs官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-6 22:59:00 |
人工找貨 | NE3516S02-T1C-A價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE3516S02-T1C-A規(guī)格書(shū)詳情
NE3516S02-T1C-A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3516S02-T1C-A晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
NE3516S02-T1C-A
- 制造商:
CEL
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤(pán)
- 晶體管類(lèi)型:
N 溝道 GaAs HJ-FET
- 頻率:
12GHz
- 增益:
14dB
- 額定電流(安培):
60mA
- 噪聲系數(shù):
0.35dB
- 功率 - 輸出:
165mW
- 封裝/外殼:
4-SMD,扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
S02
- 描述:
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
S03 |
7350 |
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詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
NA/ |
274 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
CEL |
22+ |
S03 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
SMT-86 |
822 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
SMT-86 |
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RENESAS |
1604+ |
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276 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
CEL |
23+ |
S03 |
9000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
TransJFET |
56520 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
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16+ |
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2875 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
20+ |
S03 |
2000 |
詢價(jià) |