首頁>NE3517S03-T1C-A>規(guī)格書詳情
NE3517S03-T1C-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE3517S03-T1C-A |
| 參數(shù)屬性 | NE3517S03-T1C-A 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 4V 20GHZ S03 |
| 功能描述 | K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs HJ-FET |
| 封裝外殼 | 4-SMD，扁平引線 |
| 文件大小 |
310.74 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-6 20:00:00 |
| 人工找貨 | NE3517S03-T1C-A價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NE3517S03-T1C-A規(guī)格書詳情
NE3517S03-T1C-A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3517S03-T1C-A晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NE3517S03-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
HFET
- 頻率：
20GHz
- 增益：
13.5dB
- 額定電流（安培）：
15mA
- 噪聲系數(shù)：
0.7dB
- 封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
S03
- 描述：
FET RF 4V 20GHZ S03
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
NA/ |
274 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
SMT-86 |
822 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
SMT-86 |
8500 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!! |
詢價 | ||
RENESAS |
1310+ |
SMT-86 |
1424 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
NEC |
21+ |
VQFN |
9800 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價 | ||
CEL |
2024+ |
4-SMD |
32560 |
原裝優(yōu)勢絕對有貨 |
詢價 | ||
RENESAS |
ROHS |
56520 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
20+ |
S03 |
2000 |
詢價 | |||
RENESAS/瑞薩 |
2021+ |
SMT-86 |
3000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SMD |
33547 |
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實單可談 |
詢價 |
