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NE3511S02-T1C 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 CEL

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原廠料號：NE3511S02-T1C品牌：CEL

只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣

NE3511S02-T1C是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商CEL生產(chǎn)封裝原廠原包/4-SMD，扁平引線的NE3511S02-T1C晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    NE3511S02-T1C

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    288.54 kb

  • 資料說明：

    X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NE3511S02-T1C-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 額定電流（安培）：

    70mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.3dB

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    S02

  • 描述：

    IC AMP RF LNA 13.5DB S02

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市永貝爾科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳麗潔

  • 手機(jī)：

    13421387025

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83253883

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場68樓6811A

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