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NE334S01-T1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NE334S01-T1
廠商型號(hào)

NE334S01-T1
功能描述

C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
文件大小

74.21 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC【瑞薩】

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-12 10:36:00

NE334S01-T1規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The NE334S01 is a Hetero-Junction FET that uses the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for TVRO and other commercial systems.

FEATURES

? VERY LOW NOISE FIGURE:

0.25 dB TYP at 4 GHz

? HIGH ASSOCIATED GAIN:

16.0 dB TYP at 4 GHz

? GATE WIDTH: 280 μm

? TAPE & REEL PACKAGING OPTION AVAILABLE

? LOW COST PLASTIC PACKAGE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    NE334S01-T1

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類(lèi)型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
SMT86
6798
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價(jià)
NEC
21+
SMT86
12588
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十
 詢價(jià)
NEC
22+
SMT86
71738
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NEC
589220
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤(pán) 更多數(shù)量
 詢價(jià)
NEC
22+
SMT86
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
 詢價(jià)
NEC
20+
SMT
49000
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
NEC
23+
660
全新原裝，歡迎來(lái)電咨詢
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
SMT
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
NEC
21+
SMT86
6000
全新原裝 現(xiàn)貨 價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
NEC
24+
SO86
35200
一級(jí)代理/放心采購(gòu)
 詢價(jià)

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