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NDP02N60Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NDP02N60ZG

N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDT02N60Z

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

PJM02N60SA

N-EnhancementModeFieldEffectTransistor

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司

SDU02N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SDUD02N60

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

SGB02N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGB02N60

FASTIGBTINNPTTECHNOLOGY

FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD02N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SGD02N60

FASTIGBTINNPTTECHNOLOGY

FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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80000
公司原裝現(xiàn)貨專門為工廠終端客戶配單歡迎咨詢下單
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更多NDP02N60Z供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-25 10:10:00

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