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NDP03N60Z	文件：372.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDP03N60Z	文件：167.82 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDP03N60ZG	文件：167.82 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
03N60	文件：2.52205 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AIHD03N60RF	文件：1.72801 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
CJP03N60	文件：193.74 Kbytes Page：3 Pages	PowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
FMC03N60E	文件：332.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMC03N60E	文件：580.87 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMI03N60E	文件：578.13 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMP03N60E	文件：371.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMP03N60E	文件：571.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMV03N60E	文件：532.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
H03N60	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H03N60E	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H03N60F	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
IKD03N60RF	文件：1.71473 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplicationsupto30kHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	??C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：1.92227 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RFA	文件：1.74998 Mbytes Page：16 Pages	OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
NDP03N60Z
制造商：
ONSEMI
制造商全稱：
ON Semiconductor
功能描述：
N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	NDP-04UV	臺(tái)灣圜達(dá)	21+	DIP	35000	航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方	詢價(jià)
深圳市弘揚(yáng)芯城科技有限公司	NDP-04UV	圜達(dá)	23+	插件	6000	誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	NDP05N50Z	O	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	NDP05N50Z	VB	21+	TO-220	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	NDP05N50Z	O	TO-220	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	NDP05N50Z	O	23+	TO-220	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	NDP05N50Z	O	22+	TO-220	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	NDP05N50Z2SK3305	NEC	2023+	TO-220	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	NDP05N50Z2SK3305	IR	23+	D2-pak	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	NDP05N50Z2SK3305	NEC	24+	TO-TO-220	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)

更多NDP03N60Z供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-28 13:01:00

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