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NDB710BE	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDB710BE	文件：344.52 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDP710A	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDP710A	文件：295.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=38mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDP710AE	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDP710AE	文件：296.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=38mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDP710B	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDP710B	文件：295.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDP710BE	文件：74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDP710BE	文件：295.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NE710	文件：279.05 Kbytes Page：7 Pages	LOWNOISEKu-KBANDGaAsMESFET LOWNOISEKu-KBANDGaAsMESFET	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
OPB710	文件：188.69 Kbytes Page：4 Pages	ReflectiveObjectSensor	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPB710	文件：220.53 Kbytes Page：2 Pages	REFLECTIVEOBJECTSENSORS Description: OPB710andOPB710FconsistofagalliumarsenideinfraredemittingdiodeandanNPNsiliconphototransistor.OPB730andOPB730FconsistofagalliumarsenideinfraredemittingdiodeandanNPNsiliconphotodarlington. Features: ?Choiceofphototransistororphotodarlingtonout	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPB710	文件：946.78 Kbytes Page：4 Pages	ReflectiveObjectSensor	TTELECTT Electronics. TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司	TTELEC
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PA.710.A	文件：1.39025 Mbytes Page：17 Pages	Highefficiencywide-bandantenna	TAOGLAS Taoglas antenna solutions	TAOGLAS
PA.710.A	文件：1.60871 Mbytes Page：21 Pages	UltraWidebandLTE/Cellular/CDMASMDAntennaFor4G/3G/2GApplications	TAOGLAS Taoglas antenna solutions	TAOGLAS
PA710A	文件：1.1355 Mbytes Page：17 Pages	UltraWide-BandLTE/Cellular/CDMASMTAntenna	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
NDB710BE
制造商：
FAIRCHILD
制造商全稱：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	NDB710BE	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市近平電子有限公司	NDB710BE	MOT/ON	6000	面議	19	DIP/SMD	詢價(jià)
深圳市科芯源微電子有限公司	NDB710BE	FAIRCHILD/仙童	24+	TO263	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	NDB712BE	NSC	05+	原廠原裝	1651	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	NDB712BE		24+		3000	公司存貨	詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	NDB712BE	NS	24+	TO-263	2987	絕對(duì)全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	NDB712BE	NS/國(guó)半	23+	TO-262	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	NDB712BE	NS	23+	TO-262	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	NDB712BE	NS	21+	TO-262	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	NDB712BE	NS/國(guó)半	2022	TO-262	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)

更多NDB710BE供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 16:43:00

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