訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>NAND02GW3B2DZA6E>芯片詳情
NAND02GW3B2DZA6E 集成電路(IC)存儲器 STM/信盛
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
NAND02GW3B2DZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 類別:
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
閃存
- 技術:
閃存 - NAND
- 存儲容量:
2Gb(256M x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
25ns
- 電壓 - 供電:
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
63-TFBGA
- 供應商器件封裝:
63-VFBGA(9.5x12)
- 描述:
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
供應商
- 企業(yè):
深圳市匯萊威科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱小姐
- 手機:
18126328660
- 詢價:
- 電話:
0755-82767689
- 地址:
深圳市福田區(qū)華富路1046號華康大夏2棟503
相近型號
- NAND02GR3B2DZA6F
- NAND04GW3C2BN6E
- NAND02GR3B2DZA6E
- NAND08GAH0BZA5E
- NAND02GR3B2DZA6
- NAND08GW3B2AN6E
- NAND02GR3B2CZA6F
- NAND08GW3B2CN6
- NAND02GR3B2CZA6E
- NAND08GW3B2CN6E
- NAND02GR3B2CZA6
- NAND08GW3C2BN6E
- NAND01GW3B2CZA6F
- NAND08GW3F2AN6E
- NAND01GW3B2CZA6E
- NAND128F3U0AZB1E
- NAND01GW3B2CZA6
- NAND128W3A
- NAND01GW3B2CN6F
- NAND128W3A0BN6F
- NAND01GW3B2CN6E
- NAND128W3A2B
- NAND01GW3B2CN6
- NAND128W3A2BDI6
- NAND01GW3B2BZA6E
- NAND128W3A2BN6
- NAND01GW3B2BZA6
- NAND128W3A2BN6E
- NAND01GW3B2BN6E
- NAND128W3A2BN6F
- NAND01GW3B2BN6
- NAND128W3A2BNXE
- NAND01GW3B2AZA6E
- NAND128W3AABN6E
- NAND01GW3B2AZA6
- NAND128W3AABN6F
- NAND01GW3B2AZ
- NAND128W4A
- NAND01GW3B2AN6F
- NAND16GAHAPZ06
- NAND01GW3B2AN6E
- NAND16GW3C4B
- NAND01GW382CZA6
- NAND16GW3C4BN6
- NAND01GR3B2CZA6F
- NAND16GW3C4BN6E
- NAND01GR3B2CZA6EIC
- NAND16GW3F2AN6
- NAND01GR3B2CZA6E
- NAND01GR3B2CZA6